ESD保护二极管的结电容Cj由哪些部分组成？

一：理论基础：结电容（Cj）包括耗尽层电容（Cd） 和扩散电容（Cs）

Cj= Cd+Cs

ESD 管反向偏置时（未击穿），Cs可忽略，Cj≈Cd，其大小与PN结面积A成正比，与耗尽区宽度W成反比

Cd=εA/W，ε为半导体介电常数

二: 什么叫耗尽层电容（Cd）

• 形成基础：PN结反向偏置时会形成耗尽层，空间电荷区的电荷会随外加电压变化，这种电荷变化特性等效为电容。
• 影响因素：主要和PN结面积、半导体掺杂浓度、反向偏压相关，反向偏压越大，Cd通常越小
• 实际意义：Cd会影响ESD二极管的高频响应，是高速电路选型时的重要考量参数

三: 什么叫扩散电容（Cs）

• 形成基础：正向偏压下，多子会注入对方区域并存储，这些存储载流子的数量随电压变化，等效为电容特性
• 影响因素：主要和正向电流大小、少数载流子寿命、温度相关，正向电流越大，Cs通常越大。
• 实际意义：Cs主要影响二极管低频到中频的响应，ESD防护场景中，高频应用下其影响远小于耗尽层电容（Cd）

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