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分子分析仪

分子分析仪是精准医疗与生命科学研究的核心，其通过检测微弱荧光信号或电导率变化来实现分子级识别。针对设备内部半导体制冷器（TEC）在高频热循环中产生的瞬态电压波动，以及高灵敏度光电倍增管（PMT）或 CMOS 传感器对静电（ESD）的严苛防护需求，我们提供了极低电容的信号隔离与高精度电源稳压保护方案。这些方案确保了温控系统的毫秒级响应不产生电磁干扰，保障了复杂生化反应数据的纯净度，助力实现极低的检出限与卓越的重复性。

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产品

技术文档

Gdt 气体放电管 (2)

2R600L-5.5×6

-- 2R600L-5.5×6：双电极、600V、5kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

2R600L-8×6

-- 双电极、600V、10kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

Mov 压敏电阻 (2)

Gdt 气体放电管 (2)

2R090L-5.5×6

-- 双电极、90V、5kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

2R090L-8×6

-- 双电极、90V、10kA、≤1pF 气体放电管 (GDT)，用于通信与电源保护

Mov 压敏电阻 (1)

Tvs 瞬态抑制二极管 (2)

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

Esd 静电保护元件 (1)

ESD0524P

-- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Esd 静电保护元件 (2)

ESD5V0D3B

-- ESD5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

ESD3V3D8B

-- ESD3V3D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 3.3V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

Tss 半导体放电管 (1)

P0080SCL

-- P0080SCL 半导体放电管 TSS，SMB（Do-214AA）封装，动作电压8V；100A/10/1000us波形，浪涌泄放效果优、过压防护响应快

Esd 静电保护元件 (1)

ESD24VAPB

-- ESD24VAPB 静电保护二极管，SOT23，标称关断电压 24.0V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

Esd 静电保护元件 (2)

ESDLC5V0D8B

-- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESD0524P

-- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Tvs 瞬态抑制二极管 (1)

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

Gdt 气体放电管 (3)

3R090L-5×7.6

-- 90V、≤1pF、5kA 三电极气体放电管，专为通信线路和数据接口提供高能量浪涌与雷击防护，适合对低电容和高可靠性有要求的应用场景。

3R090L-6×8

-- 90V、≤1pF、10kA 三电极气体放电管（GDT），适用于通信线路、宽带设备及低压信号接口的浪涌、雷击和瞬态过电压保护

3R090L-8×10

-- 90V、≤1pF、10kA 三电极气体放电管（GDT），适用于通信线路、宽带设备及低压信号接口的浪涌、雷击和瞬态过电压保护

Esd 静电保护元件 (1)

ESD5V0D5B

-- ESD5V0D5B 静电保护二极管，SOD523，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

Tvs 瞬态抑制二极管 (1)

Esd 静电保护元件 (1)

ESD0524P

-- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

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