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ESD保护二极管的 “动态电阻（Rd）” 如何定义？

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为什么部分ESD保护二极管采用 “双向击穿” 设计？

USB 2.0/3.0、HDMI、DP、以太网（RJ45）、I2C/SPI 总线（双向通信）,DC-DC 电源输入口、电池供电线路、5V/12V 设备电源接口

ESD保护二极管的结电容Cj由哪些部分组成？

理论基础：结电容（Cj）包括耗尽层电容（Cd）和扩散电容（Cs）

为何ESD保护二极管在反向偏置时漏电流IR？

耗尽区的少子漂移电流-温度升高时显著增大 1.PN结表面的漏电流（受钝化层质量影响） 2.掺杂不均匀导致的局部电场集中电流 3.ESD管的IR通常设计为 < 1μA（25℃时），避免影响被保护电路的静态工作点

ESD Array 阵列响应速度?

PESD5V0C1ULS-Q PESD5V0C2UM-Q PESD5V0F1BL-Q PESD5V0F1BLD-Q PESD5V0F1BRLD-Q PESD5V0H1BLG-Q PESD5V0H1BLL-Q PESD5V0L1BA-Q PESD5V0L1UA-Q

ESD保护二极管的PN结结构如何影响其泄放能力？

ESD保护二极管的PN 结结构（如平面型、沟槽型）如何影响其ESD泄放能力？ 1.平面型 PN 结： PN结位于芯片表面，结面积易做大，可承受更大的ESD脉冲电流（如:HBM 15kV），但寄生电容较大（因结面积大），且表面易受污染物影响导致击穿电压不稳定，适用于低频、大电流防护场景（如:电源VBUS） 1.1 平面型 PN 结是一种通过平面工艺（如光刻、扩散或离子注入）在半导体晶片表面形成

ESD保护二极管的雪崩击穿与齐纳击穿在物理机制上差异？

首先简单理解的雪崩与齐纳击穿之间差异：雪崩击穿：高反向电压使耗尽区中载流子获得足够能量，与晶格原子碰撞产生新的电子 - 空穴对（雪崩倍增），导致反向电流骤增；击穿电压随温度升高而升高（正温度系数），适用于高电压、大电流场景（如电源端防护）齐纳击穿：低反向电压使耗尽区中强电场直接将束缚电子拉出共价键（场致发射），反向电流骤增；击穿电压随温度升高而降低（负温度系数）

ESD静电保护二极管与普通整流二极管有何本质区别

一、芯片流片掺杂工艺：从 “材料结构” 决定器件特性差异芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异，直接决定了器件的击穿特性、芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异，直接决定了器件的击穿特性、响应速度、导通能力等关键参数，本质是通过调整掺杂元素（如 P 型硼、N 型磷）的浓度、分布区域、结深对比维度 ESD 静电保护二极管普通整流二极管（以

用频谱仪如何定位汽车电子EMC出现电磁干扰问题？

汽车电程师都知道，在汽车电子EMS中定位电磁干扰源时，频谱分析仪起到核心作用，它是用来捕获干扰的频率特征并结合空间分布定位源头，具体方法和参数设置如下：第一步：定位步骤初步扫频：先用频谱分析仪对整车或目标系统（如车载雷达、ECU）进行全频段扫描（通常 10kHz~6GHz，覆盖汽车电子常见干扰频段），记录干扰信号的中心频率、带宽及强度

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