血糖监测仪-音特电子

Tvs 瞬态抑制二极管 (4)

SMF6.5CA

-- SMF6.5CA, SOD123FL 贴片 TVS 瞬态抑制二极管；6.5V工作峰值电压；200W瞬间峰值功率；用于工业6.5V电路双向瞬态浪涌与静电防护

SMAJ6.5CA

-- SMAJ6.5CA Do-214AC贴片TVS瞬态抑制二极管，6V工作峰值电压，400W瞬间峰值功率，用于6V电路瞬态浪涌与静电防护

SMAJ6.5A

-- SMAJ6.5A Do-214AC贴片TVS瞬态抑制二极管，6V工作峰值电压，400W瞬间峰值功率，用于6V电路瞬态浪涌与静电防护

SMBJ6.5CA

-- SMBJ6.5CA Do-214AA贴片 TVS 瞬态抑制二极管；6.5V工作峰值电压；600W 瞬间峰值功率；用于6.5V电路瞬态浪涌与静电防护

Esd 静电保护元件 (5)

ESDLC5V0D3B

-- ESDLC5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESD5V0D8BH

-- ESD5V0D8BH 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

ESDLC5V0D8B

-- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESDULC5V0D8B

-- ESDULC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于中高速信号（如USB 3.0）的静电防护。

ESD0524P

-- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

Esd 静电保护元件 (1)

ESD5V0D8BH

-- ESD5V0D8BH 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

Esd 静电保护元件 (3)

ESDLC5V0D3B

-- ESDLC5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESDLC5V0D8B

-- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESDULC5V0D8B

-- ESDULC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于中高速信号（如USB 3.0）的静电防护。

Esd 静电保护元件 (5)

ESDLC5V0D3B

-- ESDLC5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESD5V0D8BH

-- ESD5V0D8BH 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

ESDLC5V0D8B

-- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESDULC5V0D8B

-- ESDULC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于中高速信号（如USB 3.0）的静电防护。

NRESDTLC5V0D8B

-- NRESDTLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，极低电容（0.2 pF以内），标准工艺/单通道，适用于超高速高频信号（如HDMI 2.1、5G射频）的静电防护。

Esd 静电保护元件 (1)

ESD0524P

-- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Esd 静电保护元件 (2)

ESDLC5V0D8B

-- ESDLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

ESDULC5V0D8B

-- ESDULC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于中高速信号（如USB 3.0）的静电防护。

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Tvs 瞬态抑制二极管 (4)

SMF6.5CA

SMAJ6.5CA

SMAJ6.5A

SMBJ6.5CA

Esd 静电保护元件 (5)

ESDLC5V0D3B

ESD5V0D8BH

ESDLC5V0D8B

ESDULC5V0D8B

ESD0524P

Common mode inductor 共模滤波电感 (1)

CMZ2012A-900T

Esd 静电保护元件 (1)

ESD5V0D8BH

Esd 静电保护元件 (3)

ESDLC5V0D3B

ESDLC5V0D8B

ESDULC5V0D8B

Esd 静电保护元件 (5)

ESDLC5V0D3B

ESD5V0D8BH

ESDLC5V0D8B

ESDULC5V0D8B

NRESDTLC5V0D8B

Esd 静电保护元件 (1)

ESD0524P

Esd 静电保护元件 (2)

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