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VR眼镜

VR 头部显示设备通过高帧率显示与亚毫米级追踪技术创造沉浸式体验，这对数据传输的实时性提出了极致要求。针对 USB-C 或 DP 接口在传输 4K/8K 超高清影像时对信号完整性的严苛要求，以及用户频繁触碰设备外壳带来的静电（ESD）风险，我们提供了超低电容（低至 0.1pF 级）的防护方案。这些方案能在不影响高速数据链路眼图质量的前提下，有效吸收瞬态脉冲，防止传感器数据丢包或图像花屏，保障空间定位系统的精准响应，为用户构筑稳定、流畅且安全的虚拟世界入口。

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Esd 静电保护元件 (1)

ESDSRVLC05-4

-- ESDSRVLC05-4 静电保护二极管，通用贴片封装，标称关断电压 5.0V，单向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），4通道/4路信号，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

Tvs 瞬态抑制二极管 (1)

SMBJ6.5CA

-- SMBJ6.5CA Do-214AA贴片 TVS 瞬态抑制二极管；6.5V工作峰值电压；600W 瞬间峰值功率；用于6.5V电路瞬态浪涌与静电防护

Tvs 瞬态抑制二极管 (1)

SMBJ15CA

-- SMBJ15CA Do-214AA贴片 TVS 瞬态抑制二极管；15V工作峰值电压；600W 瞬间峰值功率；用于15V电路瞬态浪涌与静电防护

Sbr 肖特基二极管 (1)

Esd 静电保护元件 (1)

ESDSRVLC05-4

Esd 静电保护元件 (1)

ESDLC5V0D3

-- ESDLC5V0D3 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，单向保护设计，低电容（1–10 pF），标准工艺/单通道，适用于一般高速信号（如USB 2.0）的静电防护。

Esd 静电保护元件 (1)

ESDLC5V0D3

Esd 静电保护元件 (1)

ESDLLC5V0D06BH

-- ESDLLC5V0D06BH 静电保护二极管，通用贴片封装，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，极低电容（0.5 pF以内），标准工艺/单通道，适用于高速高频信号的静电防护。

Esd 静电保护元件 (1)

NRESDTLC5V0D8B

-- NRESDTLC5V0D8B 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，极低电容（0.2 pF以内），标准工艺/单通道，适用于超高速高频信号（如HDMI 2.1、5G射频）的静电防护。

Esd 静电保护元件 (3)

ESD5V0D3B

-- ESD5V0D3B 静电保护二极管，SOD323，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

ESDULC5V0D5B

-- ESDULC5V0D5B 静电保护二极管，SOD523，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，超低电容（0.5–1 pF），标准工艺/单通道，适用于中高速信号（如USB 3.0）的静电防护。

ESD0524P

-- ESD0524P静电保护二极管，DFN2510，标称关断电压5.0V，4通道/4路信号，经典物料

Esd 静电保护元件 (1)

ESD5V0AP

-- ESD5V0AP 静电保护二极管，SOT23，标称关断电压 5.0V，单向保护设计，普通电容（无特殊低电容设计），标准工艺/单通道，适用于对电容不敏感的低速信号的静电防护。

Esd 静电保护元件 (1)

ESD5V0AP

Esd 静电保护元件 (1)

ESDLLC5V0D8BH

-- ESDLLC5V0D8BH 静电保护二极管，DFN1006/SOD882，标称关断电压 5.0V，双向保护设计，极低电容（0.5 pF以内），标准工艺/单通道，适用于高速高频信号的静电防护。

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