Global
EN
可持续发展
可持续发展
持续创新、引领行业进步是我们不屈的使命。
新闻&资源
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
关于我们
关于我们
音特电子集技术研发、芯片制造、封装测试、销售和服务于一体
人才发展
人才发展
一同释放潜力,塑造人类健康未来
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
企业新闻 行业资讯 产品知识 资料下载
IGBT的应用范围及市场
来源:音特电子 发布日期:2023-09-14 浏览次数:3032次
分享:

IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。
IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。

功率半导体元器件的特点

除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。
根据其分别可支持的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频领域。
IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,通过这两者的复合化,既是使用电子与空穴两种载体的双极元件,同时也是兼顾低饱和电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。
尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。

【功率元器件的基本结构与特点】
  MOSFET BIPOLAR IGBT
基本结构 MOSFET BIPOLAR IGBT
控制 栅极电压 基极电流 栅极电压
容许电流
开关
导通电阻
MOSFET
是指半导体元件的结构为Metal(金属)- Oxide(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。
BIPOLAR
是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。

IGBT的应用范围

功率半导体的应用范围

功率半导体分为以元件单位构成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由该基本部件组成的模块 (Module)。
IGBT也同样存在分立式元器件和模块之分,并分别有其适合的应用范围。
下图所示为以IGBT为主的功率半导体在开关(工作)频率与输出电容关系图中的应用范围。

IGBT的市场

IGBT的应用领域

作为功率半导体的IGBT被应用于从车载用途到工业设备、消费电子等各种用途。从以电车及HEV/EV等高输出电容的三相电机控制逆变器用途,到UPS、工业设备电源等的升压控制用途、IH(电磁感应加热)家用炊具的共振用途等,其用途正在逐渐扩大。
下图对IGBT的应用领域进行了汇总。

【IGBT的应用领域】

IGBT的应用领域

热门新闻
ESD保护二极管的雪崩击穿与齐纳击穿在物理机制上差异?
2025-10-14
首先简单理解的雪崩与齐纳击穿之间差异: 雪崩击穿:高反向电压使耗尽区中载流子获得足够能量,与晶格原子碰撞产生新的电子 - 空穴对(雪崩倍增),导致反向电流骤增;击穿电压随温度升高而升高(正温度系数),适用于高电压、大电流场景(如电源端防护) 齐纳击穿:低反向电压使耗尽区中强电场直接将束缚电子拉出共价键(场致发射),反向电流骤增;击穿电压随温度升高而降低(负温度系数)  
ESD静电保护二极管与普通整流二极管有何本质区别
2025-10-12
一、芯片流片掺杂工艺:从 “材料结构” 决定器件特性差异   芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异,直接决定了器件的击穿特性、芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异,直接决定了器件的击穿特性、响应速度、导通能力等关键参数,本质是通过调整掺杂元素(如 P 型硼、N 型磷)的浓度、分布区域、结深 对比维度 ESD 静电保护二极管 普通整流二极管(以
用频谱仪如何定位汽车电子EMC出现电磁干扰问题?
2025-09-27
汽车电程师都知道,在汽车电子EMS中定位电磁干扰源时,频谱分析仪起到核心作用,它是用来捕获干扰的频率特征并结合空间分布定位源头,具体方法和参数设置如下: 第一步:定位步骤    初步扫频:先用频谱分析仪对整车或目标系统(如车载雷达、ECU)进行全频段扫描(通常 10kHz~6GHz,覆盖汽车电子常见干扰频段),记录干扰信号的中心频率、带宽及强度