Global
EN
可持续发展
可持续发展
持续创新、引领行业进步是我们不屈的使命。
新闻&资源
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
关于我们
关于我们
音特电子集技术研发、芯片制造、封装测试、销售和服务于一体
人才发展
人才发展
一同释放潜力,塑造人类健康未来
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
企业新闻 行业资讯 产品知识 资料下载
MOSFET的电流与电压的简要关系?
来源:音特电子 发布日期:2023-06-18 浏览次数:5253次
分享:

在MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)中,电流和电压之间存在一定的关系。MOSFET的电流与栅极电压和漏极电压相关,可以通过以下几个关键参数来描述:

1. 阈值电压(Threshold Voltage,Vth):当栅极电压大于等于阈值电压时,MOSFET开始导通。在Vth之下,MOSFET处于截止状态,导通电流非常小。

2. 开启电压(Turn-On Voltage):当栅极电压超过一定值,使MOSFET完全导通,电流开始流过通道。这个电压通常称为开启电压或饱和电压。

3. 饱和电流(Saturation Current):当MOSFET完全导通时达到的最大电流值。在饱和区,MOSFET的漏极电压对电流的影响相对较小,电流几乎不再随漏极电压的变化而变化。

总之,MOSFET的导通和截止状态主要由栅极电压来控制,而电流的大小取决于栅极与漏极之间的电压差以及MOSFET的内部特性(如维持电流、场效应迁移率等)。

热门新闻
EMI电感性能测试与验证要求分享
2025-08-20
1. 共模电感的插入损耗测试应采用什么夹具?为何?​ 答:共模电感的插入损耗测试通常采用50Ω标准同轴夹具(如 BNC 或 SMA 接口夹具),部分场景会配合 LINE IMPEDANCE STABILIZATION NETWORK(LISN)使用原因:依据 EMC 测试标准(如 CISPR 16、IEC 61000-4-6),测试系统的特征阻抗需统一为 50Ω
EMI共模电感使用与匹配10个技巧
2025-08-18
​问1. 如何通过共模电感与Y电容的组合优化10MHz以上的干扰抑制? 答:共模电感在低频至中高频(如 1MHz 以下)通过高共模阻抗抑制干扰,但高频(10MHz 以上)会因寄生电容(绕组间、绕组与磁芯间)导致阻抗下降,抑制效果减弱。Y电容(通常为陶瓷电容,如MLCC)具有低等效串联电阻(ESR)和寄生电感(ESL),可在高频段提供低阻抗通路,将共模干扰分流至地优化方式: 容值选择:
安装与布局细节​之EMI电感事项
2025-08-15
1. 共模电感与 X 电容之间的最佳距离是多少?为何?​ 答: 共模电感与 X 电容之间的最佳距离通常建议控制在3-5cm以内,原因在于共模电感主要抑制共模干扰,X 电容主要滤除差模干扰,二者需协同构成 EMI 滤波器 若距离过远,引线间的寄生电感会增大,导致高频段(如 100MHz 以上)滤波网络的阻抗匹配被破坏,干扰信号可能通过寄生参数 “绕开” 滤波器