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深化产学研融合：上海工程技术大学师生走进音特电子，共探材料科学新应用

深化产教融合，打破高校理论教学与企业实际应用之间的围墙，让未来的工程师们零距离接触电子元器件行业的前沿技术

正向导通电压VF与ESD的VBR_forward

普通二极管的正向导通电压VF与ESD保护二极管的正向击穿电压VBR_forward有何区别？首先：普通二极管的VF：是正向偏置时PN结导通的门槛电压（硅管≈0.7V），导通后电流随电压缓慢增大，无“击穿”特性，正向电流过大时会因热损耗损坏 ESD管的VBR_forward：是正向偏置时发生雪崩击穿的电压，击穿后电流骤增（如：VBR_forward=6V 时

SENT协议的最新动态

协议是汽车电子领域专为传感器与 ECU（电子控制单元）之间点对点数据传输设计的数字通信标准全称为 -Single Edge Nibble Transmission单边沿半字传输协议核心规范依据 SAE J2716（最新版本为 2016 年发布的 SAE J2716-201604），是现代汽车传感器数字化传输的关键技术之一 1. 应用范围持续扩大 2025 年全球SENT协议传

ESD保护二极管的 “动态电阻（Rd）” 如何定义？

类人机器人BMS静电保护、类人机器人传感器模块静电保护、类人机器人位置传感器静电保护、类人机器人电机驱动器静电保护、类人机器人系统控制器静电保护、割草机器人静电保护、扫地机器人静电保护、机器人 CPU 和计算板静电保护、机器人 I/O 模块静电保护、机器人传感器模块静电保护、机器人伺服驱动器静电保护、机器人位置传感器静电保护、机器人位置反馈聚合器静电保护、机器人安全模块静电保护、机器人示教盒 (HMI)静电保护、机器人通信模块静电保护、移动机器人 BMS静电保护、移动机器人 CPU 和计算模块静电保护、移动机器人传感器静电保护、移动机器人安全模块静电保护、移动机器人电机控制静电保护、移动机器人通信模块静电保护

为什么部分ESD保护二极管采用 “双向击穿” 设计？

USB 2.0/3.0、HDMI、DP、以太网（RJ45）、I2C/SPI 总线（双向通信）,DC-DC 电源输入口、电池供电线路、5V/12V 设备电源接口

ESD保护二极管的结电容Cj由哪些部分组成？

理论基础：结电容（Cj）包括耗尽层电容（Cd）和扩散电容（Cs）

马斯克：Dojo2芯片量产与性能突破

2025 年 11 月10日，马斯克旗下特斯拉在 AI 芯片领域的发展已进入密集迭代阶段，其自研芯片路线图和超算系统布局正重塑自动驾驶与机器人领域的技术格局。以下是基于最新动态的深度解析：一、AI5 芯片：架构革新与量产倒计时 1. 技术突破与性能参数特斯拉最新发布的 AI5 芯片已完成设计评审，这标志着该芯片从研发阶段正式进入生产准备阶段。根据马斯克披露的信息，AI5 在多个关键指标上

为何ESD保护二极管在反向偏置时漏电流IR？

耗尽区的少子漂移电流-温度升高时显著增大 1.PN结表面的漏电流（受钝化层质量影响） 2.掺杂不均匀导致的局部电场集中电流 3.ESD管的IR通常设计为 < 1μA（25℃时），避免影响被保护电路的静态工作点

ESD Array 阵列响应速度?

PESD5V0C1ULS-Q PESD5V0C2UM-Q PESD5V0F1BL-Q PESD5V0F1BLD-Q PESD5V0F1BRLD-Q PESD5V0H1BLG-Q PESD5V0H1BLL-Q PESD5V0L1BA-Q PESD5V0L1UA-Q

ESD保护二极管的PN结结构如何影响其泄放能力？

ESD保护二极管的PN 结结构（如平面型、沟槽型）如何影响其ESD泄放能力？ 1.平面型 PN 结： PN结位于芯片表面，结面积易做大，可承受更大的ESD脉冲电流（如:HBM 15kV），但寄生电容较大（因结面积大），且表面易受污染物影响导致击穿电压不稳定，适用于低频、大电流防护场景（如:电源VBUS） 1.1 平面型 PN 结是一种通过平面工艺（如光刻、扩散或离子注入）在半导体晶片表面形成

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