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新年启新程 | 德国 GBDS 高管莅临音特电子共商马年战略合作

新年伊始2月25日，德国 GBDS 公司总经理、董事Gerhard一行莅临音特电子研发中心，共商马年深度战略合作

TVS管与ESD保护二极管的区别

ESD ：静电放电（Electro-Static discharge） TVS ：瞬变电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressors） TVS管和ESD管的区别是：工作原理是一样的，但功率和封装是不一样的；ESD主要是用来防静电，防静电就要求电容值低；TVS就做不到这一点，TVS的电容值比较高。瞬态二极管（Transient Voltage Suppress

喜报！音特电子被认定为专利试点企业。

近日，经过专家评审、网上公示和复核等程序，正式认定上海音特电子有限公司为上海市松江区专利试点企业。专利试点企业是指为推进企业专利工作，充分发挥专利制度在促进企业技术创新，增强企业核心竞争力中的作用，努力提升企业知识产权创造质量、保护效果、运用效益、管理水平的能力而立项的企业资质。企业的知识产权战略一定程度上展现出了企业的创新能力，而本次我司被认定为专利试点企业，无疑是对企业知识产权的布局与

新兴基板市场以27%的复合年增长率从2022年的6360万美元增长到2028年的2.64亿美元

由于需要提高性能和成本限制，新的材料，平台和设计在半导体行业不断被研究。在过去的十年中，一些化合物半导体，如用于射频(RF)的砷化镓(GaAs)和用于电力电子的碳化硅(SiC)，已经成功地与硅竞争并进入大众市场。那么，哪个新兴的半导体衬底将成为下一个游戏规则的改变者呢?在其最新报告“新兴半导体衬底2023&

Rapidus CEO 2027年实现2nm单晶圆梦想

Rapidus首席执行官小池辰吉(Atsuyoshi Koike)在布鲁塞尔接受《电子时报》(EE Times)独家采访时表示，Rapidus将得到日本《芯片法案》(CHIPS Act)和IBM的推动，启动日本唯一一家制造世界上最先进硅的半导体代工厂，仅比行业巨头台积电(TSMC)落后两年。小池和他的100多人团队正在接受一生一次的挑战。小池是芯片行业的资深人士，最近曾在西部数据(West

RISC-V设计在兼容的情况下能走多远?

RISC-V设计在兼容的情况下能走多远? 答案并不总是黑白分明的，因为RISC-V的概念与以前的开源项目非常不同。但是，随着对RISC-V的兴趣和活动的持续增长，正在进行建设性的讨论，以解决设计开放标准ISA的一些挑战。 RISC-V国际的首席技术官Mark Himelstein说:“RISC-V标准是实现兼容的。“然而，我们通常不会使用‘兼

清华大学教授魏少军：中国要重新理解半导体产业全球化，维护全球供应链完整性

6月17日，由芯谋研究承办的第二届中国·南沙国际集成电路产业论坛（2023 IC NANSHA）在广州南沙开幕。《每日经济新闻》记者现场了解到，清华大学集成电路学院教授魏少军出席论坛并发表了 “半导体产业的再全球化”主旨讲话。魏少军提到，逆全球化思潮下，当前中国半导体产业面临较严峻挑战。他指出，过去十多年来，我们认为中国的芯片制造发展较快，但实际

等离子体形成的基本原理？

等离子体形成的基本原理涉及到物质被加热至足够高温度以使其电离，将电子从原子或分子中解离出来形成自由电子和带正电的离子。以下是等离子体形成的主要步骤： 1. 加热：物质被加热到足够高的温度。高温可以通过电击、高能光或热能等形式提供。 2. 离子化：高温使物质的原子或分子获得足够的能量，引发电离现象。在这个过程中，束缚在原子或分子中的电子被解离出来，形成自由电子和带正电的离子。 3. 电中性：在

N型SIC和P型SIC的欧姆接触的基本原理？

N型碳化硅和P型碳化硅的欧姆接触的基本原理是通过合适的金属材料与碳化硅材料之间的电子转移来建立接触电阻尽可能小的电气连接。对于N型碳化硅，其导电性主要由额外的自由电子贡献。当金属与N型碳化硅接触时，金属中的自由电子可以轻易地进入N型碳化硅中，形成电子注入，使碳化硅形成具有低电阻的接触。对于P型碳化硅，其导电性主要由空穴贡献。当金属与P型碳化硅接触时，金属中的自由电子与P型碳化硅

单极型功率二极管和双极型功率二极管差异？

单极型功率二极管和双极型功率二极管之间的主要差异在于其不同的结构和工作原理主要应用方面，单极型功率二极管通常用于开关电源、逆变器等高频应用中，而双极型功率二极管则主要用于电力电子应用中的整流、驱动和保护电路等。在器件的优值系数方面，单极型功率二极管通常具有较低的开通电压降和较快的开关速度，适用于高频应用。双极型功率二极管则往往具有较高的反向耐压和较大的电流承受能力，适用于大功率应用

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