针对EPS中SiC或高速MOSFET的驱动，因其极高的开关速度，EMC优化需格外精细：
1.极低电感布局：驱动环路包括驱动芯片、门极电阻、开关管栅源极必须最小化，建议将驱动芯片与功率管紧贴放置，甚至使用集成驱动模块。
2.门极电阻精细调校：门极电阻值需通过双脉冲测试精细优化，在开关损耗、电压过冲和EMI间取得平衡。常采用不对称驱动，开通电阻小，关断电阻稍大以兼顾效率与EMC。
3.采用有源米勒钳位：在驱动IC中集成或外设有源米勒钳位功能，防止寄生导通，减少因此产生的额外开关噪声。
4.增强驱动电源去耦：使用超低ESL的陶瓷电容，如多个0402封装并联为驱动IC提供极干净、快速的瞬态电流。
5.参考地绝对干净：驱动地必须独立且仅连接至被驱动管的源极引脚，杜绝功率地噪声侵入。
沪公网安备31011702889749号
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