软开关技术能显著改善变频器的EMC性能。
传统硬开关变频器中，IGBT在电压和电流不为零时开关，产生很大的dv/dt和di/dt，是主要的EMI噪声源。软开关技术，如零电压开关或零电流开关，使功率器件在电压或电流过零时完成状态切换，从而大幅降低开关过程中的电压电流变化率。
改善体现在：开关波形变得平滑，电压电流尖峰和振荡基本消除，从源头削减了高频噪声能量。开关损耗降低，允许使用更高的开关频率而不过热，更高的开关频率有时可以使噪声能量分布到更易滤波的频段。由于dv/dt降低，通过电机电缆寄生电容耦合的共模电流显著减小。因此，采用软开关的变频器，其传导和辐射发射水平通常远低于同等功率的硬开关变频器，对输入输出滤波器的要求也相应降低。
然而，软开关电路通常更复杂，成本更高，控制难度增大。常见的软开关拓扑包括谐振直流链路、有源钳位等。音特电子为先进拓扑提供配套的高性能电容和磁件，支持软开关技术实现。
沪公网安备31011702889749号
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