EPSIGBT驱动电阻如何抑制干扰？

发布日期：2025-07-12 浏览次数：129次

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优化EPS中IGBT的驱动电阻（Rg）是抑制开关干扰、改善EMC的有效手段。Rg直接影响开关速度（dv/dt，di/dt）。抑制干扰的优化方向：

1.降低开关速度以减小EMI：适当增大Rg，特别是关断电阻Rgoff可以减缓开关速度，从而降低电压电流尖峰和振荡幅度，减少高频噪声频谱能量。这是以增加开关损耗为代价的。

2.不对称驱动策略：常采用开通电阻（Rgon）较小以降低开通损耗，关断电阻（Rgoff）较大以抑制关断过电压和EMI。

3.抑制寄生导通：在关断电阻上并联一个反向二极管或使用更小的开通电阻，确保快速关断，防止米勒电容引起的寄生导通。最优Rg值需通过双脉冲测试，在开关损耗、温升和EMI频谱间找到最佳平衡点。