PCS中dv/dt电压变化率过冲及其引发的振铃，与辐射EMIRE超标有直接关系.
过高的dv/dt本身产生宽频谱噪声，而过冲振铃则在由寄生LC决定的特定谐振频率点产生强烈的窄带噪声峰值。这些高频电压振荡通过机箱缝隙、未屏蔽的线缆等像天线一样向外辐射，极易导致30MHz-1GHz频段的RE测试失败.
抑制dv/dt过冲是降低RE的关键，方法包括：在开关管两端并联RC吸收电路；使用RCD或有源钳位缓冲电路；优化驱动回路阻抗与布局以减小寄生电感；选用具有更软恢复特性的续流二极管或SiC MOSFET等新型器件.
沪公网安备31011702889749号
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