
集中器的辐射干扰主要来自高频开关电源、数字时钟电路以及载波通信电路,频段通常在30MHz-1GHz.
抑制需从源头、路径和机壳屏蔽入手.
源头抑制:为开关电源的MOSFET和二极管增加RC Snubber如100pF+10Ω,降低dv/dt;时钟电路选用低抖动的晶振,并通过串联22Ω电阻减缓边沿.
路径滤波:所有进出线缆电源线、通信线加装磁环,如PBZ1608E600Z0T,并绕3-5圈.
机壳屏蔽:采用导电连续性良好的金属机壳,缝隙处使用电磁密封衬垫,通风孔使用蜂窝板。内部噪声大的模块如电源可加装局部屏蔽罩.
PCB设计确保地平面完整,关键信号线走在内层.
经优化,集中器的辐射发射在30-200MHz频段可降低15dBμV/m,满足EN 55032 Class B辐射限值。