降低变频器由dv/dt过冲引起的EMI，核心在于减缓IGBT开关过程中的电压变化率并吸收振荡。
过高的dv/dt会通过电机电缆的寄生电容产生强大的共模电流，并激励电缆谐振产生辐射。首先从驱动电路优化，在栅极电阻上并联二极管或使用有源米勒钳位电路，在关断时适当减缓电压上升速度，但需权衡开关损耗。在IGBT的集电极-发射极之间直接并联高频吸收电容，如专用dv/dt吸收电容，能有效降低电压尖峰和上升率。采用RC snubber电路跨接在IGBT两端，电阻可阻尼由杂散电感和吸收电容产生的谐振。输出侧安装共模扼流圈和dv/dt滤波器，专门用于滤除电机线上的高频共模噪声。结构上，确保IGBT模块与散热器良好接触，并使用低阻抗接地，散热器可作为高频噪声的屏蔽和吸收体。
通过仿真和测试优化吸收元件参数，确保在EMI和效率间取得平衡。音特电子提供的系列吸收电容和RC组件，是构建高效dv/dt抑制方案的关键元件，能显著降低由此引发的EMI问题。
沪公网安备31011702889749号
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