AI推理卡浪涌测试能量若通过电源或信号路径耦合至非易失存储器可能导致存储单元数据翻转或文件系统损坏，表现为推理模型文件损坏、参数配置丢失；音特电子与存储控制器厂商联合测试表明 ±4kV 浪涌注入时供电轨上残留的阻尼振荡可达 100V/μs 压摆率，通过容性耦合干扰 SPI Flash 时钟或数据线；防护方案需从三方面入手：SPI Flash 供电采用 SMBJ5.0A TVS 与 SMD0603L-010-6V PPTC，SPI 信号线串联 22Ω 电阻并并联 ESD5V0D3B，PCB 布局将 Flash 远离浪涌注入点并用地环隔离；实测该防护架构在 ±6kV 浪涌冲击下 Flash 内模型文件 SHA256 校验值 100% 一致，配置寄存器读数无偏差，AI推理卡需将模型与参数存储视为敏感电路进行专项防护确保浪涌后业务快速恢复.
沪公网安备31011702889749号
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