
AI推理卡抗扰测试ESD/EFT/Surge/RS/CS后应检查非易失存储区保存的推理参数、网络权重、配置寄存器是否发生无意识改变;音特电子联合算法团队开展 500 轮次抗扰测试监测关键参数校验和,未额外防护时约 0.5% 的测试轮次出现个别参数比特翻转,虽不致命但长期累积将导致推理性能漂移;解决方案:将关键参数存储于具备 ECC 功能的 Flash 区域,每 10ms 回读校验发现异常立即从备份区恢复,参数加载总线加装 ESDLC5V0D8B 与 33Ω 串联电阻;采用音特电子完整方案后 5000 轮次抗扰测试零参数翻转,配置寄存器读数 100% 一致,抗扰测试后的参数稳定性是 AI推理卡长期可靠性的关键指标.