TVS瞬态抑制二极管的功率分类-音特电子

新闻&资源

时刻与您分享我们的一点一滴

企业新闻行业资讯产品知识资料下载

首页新闻&资源产品知识

TVS瞬态抑制二极管的功率分类

来源：音特电子发布日期：2023-06-13 浏览次数：2278次

分享：

根据不同的电压等级和功率大小，TVS瞬态抑制二极管可以分为多种分类。以下是一些常见的分类方式：

1. 按照工作电压等级分：可分为低压（<1.5kV）、中压（1.5-3kV）和高压（>3kV）三类。
2. 按照额定功率分：可分为小功率（<5W）、中功率（5-30W）和大功率（>30W）三类。
3. 按照包装类型分：可分为SMD、DO-214AB、DO-15等不同封装形式。
4. 按照触发电压分：可分为单向和双向两种，其中双向TVS二极管还可分为对称和非对称两种。
5. 按照应用领域分：可分为消费电子、通信、汽车电子等不同应用场景。

以上分类方式仅为一种常见的分类方法，实际上还有其他的分类方法，如按照工作温度范围、反向漏电流等级等进行分类。分类的目的在于方便选择和应用不同种类的tvs瞬态抑制二极管，以满足不同的需求。

上一篇：ESD保护二极管失效模式和使用注意事项

下一篇：SPD电子防雷模块是什么, 一般使用方法?

热门新闻

ESD保护二极管的雪崩击穿与齐纳击穿在物理机制上差异？

首先简单理解的雪崩与齐纳击穿之间差异：雪崩击穿：高反向电压使耗尽区中载流子获得足够能量，与晶格原子碰撞产生新的电子 - 空穴对（雪崩倍增），导致反向电流骤增；击穿电压随温度升高而升高（正温度系数），适用于高电压、大电流场景（如电源端防护）齐纳击穿：低反向电压使耗尽区中强电场直接将束缚电子拉出共价键（场致发射），反向电流骤增；击穿电压随温度升高而降低（负温度系数）

ESD静电保护二极管与普通整流二极管有何本质区别

一、芯片流片掺杂工艺：从 “材料结构” 决定器件特性差异芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异，直接决定了器件的击穿特性、芯片掺杂工艺是二者最核心的底层差异，直接决定了器件的击穿特性、响应速度、导通能力等关键参数，本质是通过调整掺杂元素（如 P 型硼、N 型磷）的浓度、分布区域、结深对比维度 ESD 静电保护二极管普通整流二极管（以

用频谱仪如何定位汽车电子EMC出现电磁干扰问题？

汽车电程师都知道，在汽车电子EMS中定位电磁干扰源时，频谱分析仪起到核心作用，它是用来捕获干扰的频率特征并结合空间分布定位源头，具体方法和参数设置如下：第一步：定位步骤初步扫频：先用频谱分析仪对整车或目标系统（如车载雷达、ECU）进行全频段扫描（通常 10kHz~6GHz，覆盖汽车电子常见干扰频段），记录干扰信号的中心频率、带宽及强度