Global
EN
可持续发展
可持续发展
持续创新、引领行业进步是我们不屈的使命。
新闻&资源
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
关于我们
关于我们
音特电子集技术研发、芯片制造、封装测试、销售和服务于一体
人才发展
人才发展
一同释放潜力,塑造人类健康未来
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
企业新闻 行业资讯 产品知识 资料下载
华为首家海外工厂将落地法国
来源:音特电子 发布日期:2023-12-12 浏览次数:1931次
分享:

据中时新闻网12月10日披露,华为法国分公司副总经理张明刚透露,华为首家海外工厂已经确定落地法国,占地约8公顷,预计2025年底投产。

据报道,华为这一项目预计投资2亿欧元,年产值可达10亿欧元。这座工厂预计年产10亿台设备,但并非生产智能手机,而是4G和5G基站所需的芯片组、主板等零部件,可供应整个欧洲市场。

报道称,华为于2003年进入法国,目前在巴黎拥有6个研发中心、1个全球设计中心。华为2019年就宣布将在法国设厂,原计划2023年初投产,但因为环保等各种原因,拖延了许久。

热门新闻
Wolfspeed Power正式申请破产清算
2025-07-02
      曾经一度占据60%以上市场份额的Wolfspeed正式宣布计划向法院申请破产保护,以进行债务重组,当年第三代半导体独角兽,根据最新披露的破产重组协议,Wolfspeed 的总债务在重组前为65亿美元。 作为与债权人达成的一项重组协议的一部分。Wolfspeed计划通过破产重组获得2.75亿美元的新融资并削减约70%的债务(约46亿美元)来缓解其财务压力。公
5G 无线主设备集中采购信息
2025-06-26
一  中国移动 2025 年至 2026 年 5G 无线主设备集中采购项目: 6 月 11 日开标,6 月 12 日中国移动采购与招标网发布中选候选人公示,华为、中兴通讯、上海诺基亚贝尔、中信科移动、爱立信五家企业中标。 其中,2.6GHz/4.9GHz 频段成交候选人依次为华为技术有限公司和华为技术服务有限公司联合体、中兴通讯股份有限公司、爱立信(中国)通信有限公司、中信科移动通信
氮化镓(GaN)技术也取得重要进展
2025-05-28
氮化镓(GaN)技术也取得重要进展 山东大学新一代半导体材料研究院崔鹏、韩吉胜教授团队研发出具有晶态氮化硅(SiN)帽层的新型 GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)。与传统器件相比,该器件饱和电流提升 41%,击穿电压提升 30%。团队通过原位生长技术,首次在 AlGaN 势垒层上生长出 2nm 晶态 SiN 帽层,降低了界面态密度,有效抑制尖峰电场分布,简化了工艺流程并节约成本,在 GaN