屏蔽地与低压地连接采用电容耦合与直接连接结合.
高频屏蔽地通过100nF/2kV陶瓷电容连接低压地。低频屏蔽地直接通过10Ω/1W电阻连接。金属机壳直接连接低压地,接地线径4mm².
PCB上,屏蔽层连接点使用金属屏蔽罩.
通过此连接方式,屏蔽效能大于35dB@1GHz,接地阻抗小于0.2Ω,同时满足IEC 60950-1安规隔离要求2500VAC耐压.