高频接地阻抗降低考虑趋肤效应和寄生电感.
采用多层接地结构：表层铺地铜，厚度1oz；内层完整地平面；过孔密集阵列，间距2.5mm，孔径0.3mm；接地引脚使用多点连接；高频器件下方设置局部接地岛.
电源去耦采用多值电容并联：10μF+1μF+100nF+10nF。接地线采用扁平铜带.
通过此设计，接地阻抗在100MHz时小于0.1Ω，高频噪声泄放效率提升，辐射发射降低12dB.
沪公网安备31011702889749号
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