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SiC 器件储能系统PCSEMC 比 Si 更难控制？

发布日期：2025-08-24 浏览次数：113次

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与传统的Si IGBT相比，SiC器件因其更高的开关速度dv/dt， di/dt和更高的工作频率，确实给PCS的EMC控制带来了更大挑战.

难点体现在：

频谱更宽：开关速度提升使噪声频谱向更高频段可达百MHz甚至GHz延伸，传统滤波器的衰减能力在此频段可能不足.
近场辐射更强：极高的dv/dt和di/dt导致更强的近场电磁场，更容易通过空间耦合干扰邻近电路.
寄生参数影响更敏感：PCB和封装的微小寄生电感电容都会引起更严重的电压过冲和振铃.

因此，针对SiC PCS的EMC设计需更严格：要求极低的寄生电感布局如使用叠层母排、选用高频特性更好的滤波器如宽频共模电感、低ESL电容、更精细的驱动设计和全面的屏蔽.

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