IGBT与SiC MOSFET驱动电路的EMC优化侧重点不同.
对于IGBT，优化重点是减缓关断dv/dt以降低电压尖峰和辐射：可在栅极驱动电阻上并联一个二极管，实现不对称驱动开通快，关断慢，并采用有源米勒钳位。对于更快的SiC器件，优化重点是控制开通di/dt和抑制驱动回路寄生参数：使用专门的低电感封装驱动IC，并在栅极串联铁氧体磁珠如PBZ1608A-102Z0T吸收超高频振荡。两者共通措施：采用隔离驱动电源如变压器或隔离DC-DC，副边电源用PWR4020R2R2M0T滤波。驱动信号采用双绞屏蔽线传输，屏蔽层接驱动端地。优化后，SiC器件的开关损耗可降低15%，同时将其产生的超高频>30MHz辐射噪声抑制8-10dB，满足新能源汽车或高端伺服对EMC的严苛要求。
沪公网安备31011702889749号
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