伺服系统中dv/dt过冲主要由IGBT关断时的电压尖峰引起，其高频分量会通过电机电缆辐射并耦合到控制电路。降低此类EMI的关键是减缓电压变化率并吸收高频能量.
音特电子推荐采用缓冲电路与磁珠组合方案：在IGBT集电极-发射极间并联RCD缓冲电路，电阻值22Ω，电容选用C0G材质100pF/1kV；同时在电机输出线上串联PBZ2012E-220Z0T磁珠220Ω@100MHz，抑制高频辐射。对于驱动信号，采用ESDLC5V0D8B低电容TVS保护栅极.
通过实测，该方案可将dv/dt从15V/ns降低至5V/ns以下，相应地将30-100MHz频段的辐射骚扰降低6-10dB。布局时缓冲电路需紧贴IGBT引脚，磁珠靠近电机端子安装，确保最短路径。此设计符合IEC 61000-6-4工业发射标准.
沪公网安备31011702889749号
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