PMS中的电子开关如MOSFET、IGBT工作在高速开关状态，其产生的dv/dt和di/dt是主要干扰源.
抑制需从器件选型、驱动优化和电路布局综合施策。器件选型上，优先选择具有低栅极电荷Qg、低漏源电容Coss和集成续流二极管的MOSFET，以降低开关损耗和振荡.
驱动优化：采用合适的驱动电压如12V，避免欠驱动；在栅极串联电阻Rg2-20Ω以控制开通速度；必要时使用有源米勒钳位电路.
电路布局：遵循“最小功率环路”原则，将开关管、续流二极管和输入电容形成的环路面积做到极致小；驱动回路与功率回路分离。同时，在直流母线加装高频吸收电容如1μF陶瓷电容紧贴开关管并在开关节点对地加装RC Snubber如100pF+10Ω。采用软开关技术如ZVS/ZCS可从根本上降低干扰.
经抑制，电子开关的电压过冲可减少70%，开关损耗下降25%，辐射骚扰满足EN 55032 Class B标准.
沪公网安备31011702889749号
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