提升I/O模块中光耦隔离电路的EMC性能需优化其本身及周边电路.
选择具有高共模瞬态抑制能力的光耦，其内部屏蔽结构能更好地抵御高压瞬变。在光耦的输入侧，串联一个电阻以限制LED电流，并并联一个TVS管如ESD5V0D3B保护LED免受反向电压击穿.
在输出侧，集电极或发射极上拉电阻的取值应兼顾开关速度和抗干扰能力，可在输出端并联一个小电容到地以滤除高频噪声。为光耦的输入和输出部分提供独立的电源，或者至少在电源路径上用磁珠隔离，防止噪声通过电源耦合.
PCB布局上，光耦应跨接在输入输出地的分割间隙上，输入和输出端的走线不要平行或交叉，以免产生容性耦合。对于高速光耦，需注意控制信号回流路径，避免形成大环路.
通过增加光耦输入输出引脚间的爬电距离，可以提升其耐受性。最终需对光耦隔离电路进行EFT和浪涌测试，验证其隔离效果.
沪公网安备31011702889749号
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