磁耦隔离器基于变压器耦合原理，其EMC抗扰性能具有独特特点.
磁耦通常具有很高的共模瞬态抗扰度，可达100kV/μs以上，优于多数光耦，能有效抵御快速的共模电压瞬变;其内部采用差分传输，对共模噪声有天然抑制作用,磁耦没有光耦的LED老化问题，寿命更长，但可能对极低频或直流磁场干扰敏感，尽管内部通常有屏蔽,使用磁耦时，为确保最佳性能，其电源引脚必须就近放置高质量的去耦电容，通常为0.1μF MLCC.
PCB布局时，应避免在磁耦下方或附近有大电流的开关走线，防止磁场耦合干扰.磁耦的输入和输出地平面应被其下方的分割间隙彻底分开,对于高频噪声，可在磁耦的差分信号线上串联小电阻或增加共模扼流圈,与光耦相比，磁耦的功耗通常更低，速度更快，但在需要极高隔离电压或对成本极度敏感的应用中，可能仍会选用光耦,需根据具体抗扰度测试要求选择.
沪公网安备31011702889749号
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