Global
EN
行业方案
技术支持
技术支持
超过千家合作客户,20年服务经验,从选型到技术支持我们都能为您提供
可持续发展
可持续发展
持续创新、引领行业进步是我们不屈的使命。
新闻&资源
新闻&资源
时刻与您分享我们的一点一滴
关于我们
关于我们
音特电子集技术研发、芯片制造、封装测试、销售和服务于一体
人才发展
人才发展
一同释放潜力,塑造人类健康未来
技术支持
超过千家合作客户,20年服务经验,从选型到技术支持我们都能为您提供

变频器器件并联如何抑制环流

发布日期:2025-12-22 浏览次数:77次
分享:

在变频器中并联IGBT或二极管以增大电流容量时,抑制器件间的环流至关重要。

环流会导致电流不均、额外损耗甚至损坏。抑制措施包括:选择参数匹配的器件,尽量使用同一批次、参数一致性好的模块。优化布局的对称性,确保每个并联支路的寄生电感(特别是发射极电感)尽可能一致,采用对称的母排设计。为每个器件的栅极驱动设置独立的栅极电阻,可以微调各自的开关速度,但需谨慎调整以防振荡。有时会在并联器件的发射极串联小电感或磁珠,以平衡动态电流,但会增加损耗和复杂性。对于二极管,可以在阳极串联小电阻以平衡静态电流。驱动信号必须同步且干净,避免因驱动延迟差异导致一个已开通而另一个还未关断的情况。

通过红外热像仪监测并联器件的温度均匀性,可以间接评估均流效果。音特电子的功率模块和驱动方案考虑了并联应用的需求,提供技术指导以帮助实现稳定可靠的并联运行。