工业AI边缘网关PCB设计针对AI芯片特性实施EMC优化一AI核心电源采用大面积敷铜并紧靠芯片放置高频去耦电容0.1μF 1μF 10μF组合二DDR4差分时钟严格等长等距误差<5mil并串联22Ω电阻三PCIe Gen3信号包地间距<2mm且过孔≤2个四AI芯片下方铺接地平面并密布过孔导热同时降低地阻抗五HDMI MIPI接口串联共模滤波器CMZ20212A-900T抑制共模辐射经这些优化AI芯片满载时辐射发射较初版降低15dB.