工业AI边缘网关的接地方式对AI模块 EMC 性能影响多大？

发布日期：2026-01-05 浏览次数：114次

分享：

工业AI边缘网关接地方式直接影响AI模块抗扰度及辐射发射推荐采用混合接地低频单点高频多点信号地GND通过磁珠PBZ1608E600Z0T与机壳地PE在单点汇接AI模块数字地通过过孔阵列与主板地平面低阻连接I/O接口地通过1nF 2kV Y电容接PE实测错误采用浮地时AI模块EFT ±2kV复位概率30%采用混合接地后复位概率0%辐射发射降低8dB.

上一篇：如何保证变频器屏蔽层连续性

下一篇：智能安全管理服务器辐射抗扰 RS 测试场强达标值为多少 V/m？

返回列表