屏蔽地与电力地连接需平衡EMC与安全.
采用电容耦合与直接连接结合。高频屏蔽地通过100nF/2kV陶瓷电容连接电力地,提供高频接地路径。低频屏蔽地直接通过10Ω/2W电阻连接,限制低频环流。金属机壳直接连接电力地,接地线径6mm².
PCB上,屏蔽层连接点使用金属屏蔽罩,360度接触。通过此连接方式,屏蔽效能大于40dB@1GHz,接地阻抗小于0.1Ω,同时满足IEC 60950-1安规隔离要求3000VAC耐压和IEC 61000-4-5浪涌测试要求.