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电力FTU 高频接地如何降低阻抗？

发布日期：2025-09-07 浏览次数：102次

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高频接地阻抗降低需考虑趋肤效应和寄生电感.

采用多层接地结构：表层铺地铜，厚度2oz；内层完整地平面；底层铺地铜。过孔密集阵列，间距3mm，孔径0.3mm。接地引脚使用多点连接，每个IC至少4个接地过孔。高频器件如时钟芯片下方设置局部接地岛.

电源去耦采用多值电容并联：10μF+1μF+100nF+10nF。接地线采用扁平铜带，宽厚比大于10:1.

通过此设计，接地阻抗在100MHz时小于0.05Ω，高频噪声泄放效率提升，辐射发射降低15dB，满足EN55032 Class B限值要求.

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