动态充放电时,大电流切换及均衡电路动作会产生瞬态电磁场,导致辐射骚扰波动,尤其在开关频率谐波点易超标,根源在于电流变化率大和回路寄生电感.
对策包括优化功率回路布局,缩短并加宽充放电电流路径以减小回路面积,在功率MOSFET栅极串联小电阻以减缓开关速度,对电流采样等敏感信号线实施屏蔽;同时可在MOSFET的DS极间并联小容量CBB电容或RC吸收电路以吸收高频能量,通过降低di/dt和减小天线效应,可实现辐射水平的稳定控制.