EPS高频dv/dt如何降低辐射干扰？

发布日期：2025-06-04 浏览次数：43次

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EPS中高频dv/dt，电压变化率是导致辐射干扰（RE）的关键因素之一.过高的dv/dt及其引发的开关节点振铃，会产生宽频谱的噪声，并通过机箱缝隙、线缆等像天线一样向外辐射,降低辐射干扰的核心是抑制dv/dt和控制振铃.措施包括：在开关管两端并联RC吸收电路或采用RCD缓冲电路，以吸收开关能量、减缓电压上升沿；优化驱动回路阻抗与布局，最小化驱动环路寄生电感；选用具有更软恢复特性的续流二极管；在产生高dv/dt的节点，如MOSFET漏极就近并联小容量高频陶瓷电容.同时，确保机柜屏蔽完整性和线缆屏蔽层良好接地，以阻断辐射路径.

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