EPS中开关器件的di/dt，电流变化率直接影响其EMC性能,高的di/dt会在功率回路的寄生电感上产生感应电压尖峰（V=L*di/dt），这些尖峰富含高频谐波，是传导和辐射EMI的重要源头.
具体影响包括：
增加差模噪声电压；通过器件对地寄生电容耦合产生更大的共模电流；
其对应的高速变化磁场会导致强烈的近场辐射，干扰周边敏感电路,为改善EMC，需采取措施降低有效的di/dt或吸收其能量，例如：优化驱动电阻以平滑开关速度；在电流路径上串联磁珠或使用一体成型功率电感；采用低寄生电感的叠层母排布局；设计有效的缓冲吸收电路.
沪公网安备31011702889749号
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