开关器件的di/dt电流变化率是影响PCS EMC性能的关键因素之一。高的di/dt会在功率回路的寄生电感上产生感应电压尖峰V=L*di/dt，这些尖峰富含高频谐波，是传导和辐射EMI的重要源头.
具体影响包括：增加差模噪声电压；通过寄生电容耦合产生更大的共模电流；其对应的高速变化磁场会导致强烈的近场辐射。为改善EMC，需采取措施降低有效的di/dt或吸收其能量，例如：优化驱动电阻以平缓开关速度；在电流路径上使用磁环或功率磁珠抑制高频电流；采用低寄生电感的母排布局和器件封装；设计有效的缓冲吸收电路.
沪公网安备31011702889749号
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