I/O模块的模拟量精度与EMC性能紧密相关，电磁干扰会直接导致测量误差,共模干扰会抬高信号地电位，超出放大器共模输入范围，导致输出失真,差模噪声会直接叠加在有用信号上，被ADC采样后形成误差,高频干扰可能引起放大器或ADC的非线性响应，甚至导致闩锁效应,电源噪声会通过电源抑制比有限的器件耦合到信号路径;因此，高精度模拟电路必须具有出色的EMC设计,这包括使用高共模抑制比的仪表放大器、低噪声的电源和参考源、有效的滤波和屏蔽、以及良好的接地和布局以最小化各种耦合;在EMC测试中，如EFT和浪涌测试，不仅要关注功能是否正常，还要监测关键精度指标如零点漂移、满量程误差的变化是否在允许范围内;反过来，良好的精度设计本身，如使用低温漂器件、低噪声运放、充分的去耦，也有助于提升对某些类型噪声的免疫力,设计目标是确保在最严酷的EMC测试环境下，精度指标仍满足规格书要求.
沪公网安备31011702889749号
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