AI推理卡 NVMe 接口 EFT 抗扰度不达标表现为链路训练失败、NVMe SSD 掉盘或读写超时，整改需从三方面切入：NVMe 供电 3.3V 回路增加磁珠与电容滤波，音特电子推荐 PBZ1608E120Z0T 磁珠，12Ω@100MHz 配合 10μF+0.1μF 电容构成 LC 滤波；PCIe 数据线 ESD 器件 ESDLC5V0D8B 必须紧贴 M.2 连接器，接地过孔孔壁镀铜厚度 >25μm；NVMe 边带信号 PERST 串联 33Ω 阻尼电阻并联 ESD5V0D3B 至地防止复位干扰；若板级空间受限可选用集成式 EMI 滤波器 CMZ2012A-900T，同时提供共模滤波与 ESD 防护，实测上述整改措施将 NVMe 接口 EFT 抗扰度从 ±1kV 提升至 ±4kV，链路保持率 100%，连续 72 小时压力测试无异常.
沪公网安备31011702889749号
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