AI推理卡核心神经网络运算单元由数十亿晶体管构成，工作电压已降至 0.65V-0.85V 噪声容限极低，ESD 冲击虽未造成器件物理损坏但其注入的宽带能量可能通过电源分配网络或衬底耦合至计算阵列引发寄存器暂态翻转或累积计算误差；音特电子联合硬件安全实验室开展对照实验，在无 ESD 防护参考板上 ±4kV 接触放电即可使 ResNet-50 批量推理 Top-1 准确率从 77.2% 骤降至 68.5%，而采用 ESDLC5V0D3B 对核心供电与时钟引脚实施本地钳位后，±15kV 放电干扰下推理精度波动小于 0.1%，完全符合生产级 AI 加速卡精度要求；该防护方案通过缩短泄放路径、降低钳位电压从根源阻断 ESD 能量向核心计算单元的渗入，保障神经网络权值乘加运算的数值稳定性.
沪公网安备31011702889749号
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