抗扰测试RS/CS/EFT/Surge强电磁干扰可能导致 AI推理卡内存数据损坏、文件系统缓存未及时写入闪存，表现为推理日志缺失、中间特征图保存失败；音特电子可靠性测试显示未加防护的 AI推理卡在 ±4kV EFT 测试中约 3% 的测试轮次出现日志文件截断；解决方案：在存储控制器供电端增加 SMBJ5.0A TVS 与 SMD1812L-075-16V PPTC，DRAM 数据线增加 ESDULC5V0D8B 超低电容 ESD 防护，日志写入采用双备份与 CRC 校验；实测采用音特电子完整存储防护方案后连续 1000 次抗扰测试零日志丢失、零中间结果损坏，抗扰测试时的数据完整性是 AI推理卡可靠性的最后防线，必须纳入防护设计目标.
沪公网安备31011702889749号
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