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AI推理卡接地不良是否导致多核心协同推理场景 ESD 防护失效?

发布日期:2025-11-11 浏览次数:131次
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AI推理卡内部集成 GPU/NPU/TPU 等多核心异构计算单元,核心间通过高速片内互连与共享缓存协同完成大规模并行推理任务,接地不良将导致卡内参考地平面电位抬升,ESD 电流无法快速泄放至系统大地转而通过信号互连路径侵入核心逻辑电路;音特电子强调系统级 ESD 防护设计中接地连续性的核心地位,在接地阻抗 >1Ω 的模拟故障条件下,PCIe 接口 ESDLC5V0D8B 防护器件虽能正常钳位但共模暂态电流仍可通过地电位差耦合至片内互连总线引发 L2/L3 缓存数据污染;实测表明采用多点接地设计将接地阻抗控制在 100mΩ 以下,配合 PCB 完整地平面与导电泡棉背板接地,可彻底消除接地不良导致的 ESD 二次耦合效应,保障多核心协同推理场景下推理精度与任务连续性不受静电干扰.