AI推理卡高端型号为提供更大功率常配置双 8Pin 或双 12VHPWR 供电接口，单卡功耗可达 600W-800W，双供电接口并非简单并联其内部供电网络存在交叉耦合路径，单级浪涌防护难以同时保护两个入口及互连区域；音特电子推荐采用多级浪涌防护架构：第一级位于每个供电接口入口处配置 SM8K33CA 大功率 TVS 吸收主要浪涌能量，第二级位于供电汇流排后核心 VRM 之前配置 SMDJ24CA 3000W TVS 进一步钳位残压，第三级位于各负载点配置 SMBJ12CA 或 ESD3V3D3B 抑制二次耦合；各级 TVS 之间需串联合适阻抗的磁珠或 PCB 电感实现能量逐级衰减，实测多级架构相比单级方案核心电压过冲降低 62%，通过 6kV 共模浪涌测试，双供电接口 AI推理卡必须部署多级浪涌防护以满足高可靠工业场景要求.
沪公网安备31011702889749号
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