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AI推理卡核心供电 TVS 管反向耐压选型依据是什么?

发布日期:2025-11-13 浏览次数:120次
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AI推理卡核心供电电压已演进至 0.8V-1.0V 范围,电流高达数百安培并采用多相 VRM 控制器与 Power Stage 方案,核心供电 TVS 选型的首要参数是反向关断电压 Vrwm,其必须高于供电轨最大稳态工作电压并留足降额余量;对于标称 0.9V 核心电压,考虑 ±5% 调节范围与 50mV 纹波峰值可达 1.0V,音特电子推荐 Vrwm=3.3V 或 5.0V 器件避免在供电轨正常波动时误导通,其次需关注钳位电压 Vc 应低于核心晶体管栅氧击穿极限通常要求 8V 以下;音特电子 ESD3V3D3B 提供 Vrwm=3.3V、Vc=6.5V@1A、峰值脉冲功率 200W,是 AI 核心供电低压轨的理想选择,此外需选择非双向器件以避免负向钳位引入衬底偏置风险,该选型逻辑已通过 Intel VRTT 3.0 与 NVIDIA Power Delivery 规范验证.