《音特电子推送》ALLOS与KAUST合力研发高效硅基InGaN红色Micro LED

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    据报道,德国硅基氮化镓专家ALLOSSemiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学(KAUST)研究团队达成合作,双方将共同研发高效硅基InGaN红色MicroLED。


据了解,大晶格失配(latticemismatch)和量子限制斯塔克效应(quantum-confinedStarkeffect,QCSE)等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用,而ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决这些基本问题。红色发光二极管
图片来源:KAUST
   值得注意的是,在MicroLED显示领域,除了蓝色和绿色LED之外,MicroLED显示还对在大尺寸晶圆上生长红色LED有强劲的需求,目的在于降低制造复杂性和成本。

   据悉,KAUST团队此前通过采用局部应变补偿(LocalStrainCompensation)和改良后的MOCVD反应器设计,在开发正向电压(ForwardVoltage)低于2.5V且高效的InGaN基红色MicroLED方面获得了一些突破。他们已在蓝宝石衬底和Ga2O3(氧化镓)衬底上生长出红色LED。

     为了采用晶圆级(尤其是大尺寸晶圆)工程应变技术来开发潜在高性能红色LED,KAUST团队与ALLOS共同将研究工作延伸到硅衬底上。凭借能够将晶圆片扩展到300mm以及在硅衬底产线上加工的能力,双方的合作将加快量产进程。对于MicroLED显示器,特别是用于AR设备的单片集成MicroLED显示器而言,这将是另一个重要的助攻。

KAUST团队与ALLOS将充分利用各自的专业知识来处理应变问题,优化硅基氮化镓和红色LED的晶体生长条件,进而实现在硅基氮化镓缓冲层上生长红色LED堆栈(Stack)。

 

来源:LEDinside